[发明专利]一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件

摘要

一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底，P型衬底上设埋氧，再设N型外延层且被隔离氧化层分隔成第一、二、三N型外延层，第三N型外延层上部设第二P型体区与N型缓冲层，第二P型体区内设N型发射极与叉指型第二重掺杂P区，第二P型体区上设栅氧化层、多晶硅栅极，N型缓冲层内设P型集电极且作为器件的阳极，上方设阳极金属层；第二N型外延层上部至少设2个第一P型体区并在其中分别设N型MOS管；第一N型外延层上部至少设2个串联的二极管且相邻二极管间设隔离氧化层；N型发射极与所有N型漏极连接，第二重掺杂P区与串联二极管的阳极连接，N型源极、第一重掺杂P区及串联二极管的阴极连接作为器件的阴极。

主权项

1.一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧(21)，在埋氧(21)上方设有N型外延层(3)，其特征在于，在N型外延层(3)内设有隔离氧化层(22)且所述隔离氧化层(22)将N型外延层(3)分隔成第一N型外延层(31)、第二N型外延层(32)及第三N型外延层(33)，在第三N型外延层(33)上部设有第二P型体区(42)与N型缓冲层(7)，在所述第二P型体区(42)的上部设有N型发射极(55)与第二重掺杂P区(64)，且所述第二重掺杂P区(64)叉指延展并将N型发射极(55)分割成块状，在所述第二P型体区(42)上方设有栅氧化层(8)，并且栅氧化层(8)的一个边界延伸至N型发射极(55)的上方，栅氧化层(8)的另一个边界延伸至第三N型外延层(33)的上方，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅极(9)，在所述N型缓冲层(7)的上部设有P型集电极(65)且所述P型集电极(65)作为器件的阳极，在P型集电极(65)上连接有阳极金属层(103)；在第二N型外延层(32)的上部至少设有2个相互独立的第一P型体区(41)，在各个第一P型体区(41)上分别设有N型MOS管，所述N型MOS管包括N型漏极(54)、N型源极(53)和第一重掺杂P区(63)；在第一N型外延层(31)的上部至少设有2个串联连接的二极管，相邻二极管之间设有用于隔离二极管的隔离氧化层(22)且所述隔离氧化层(22)向下延伸至埋氧(21)；第二P型体区(42)内的N型发射极(55)与第一P型体区(41)内所有N型MOS管的N型漏极(54)连接；第二P型体区(42)内的第二重掺杂P区(64)与串联连接的二极管中的首个二极管的阳极连接；N型MOS管的N型源极(53)及第一重掺杂P区(63)与串联连接的二极管中的末端二极管的阴极连接且末端二极管的阴极作为器件的阴极。