[发明专利]基于石墨烯电极的量子点垂直沟道场效应管及其制备方法

摘要

本发明属于光敏场效应管技术领域，公开了一种基于石墨烯电极的量子点垂直沟道场效应管及其制备方法，由下到上依次制备作为衬底层的栅极‑高掺杂单晶硅层、作为绝缘层的氧化硅层、作为源极层的单层石墨烯；单层石墨烯上一侧制备源极金接触层作为源极传输层，另一侧制备量子点层作为垂直导电沟道；量子点层上制备金电极作为漏极层。本发明既综合了PbS/PbSe量子点独特的可调谐的光学特性、发光效率较高，又兼备石墨烯材料室温导电速度最快、导热能力最强、比表面积大等优点，具有的优越的电特性和光可调谐性，在柔性光电材料、太阳能电池、传感探测等诸多领域中具有很好的应用前景。

主权项

一种量子点垂直沟道型光敏场效应管，包括作为衬底层的栅极‑高掺杂单晶硅层，所述栅极‑高掺杂单晶硅层上设置有二氧化硅层作为绝缘层，其特征在于，所述二氧化硅层上设置有单层石墨烯作为源极层；所述单层石墨烯上一侧设置有源极金接触层作为源极传输层，另一侧设置有量子点层作为垂直导电沟道；所述量子点层上设置有金电极作为漏极层；所述源极金接触层和所述金电极之间连接导线。