[发明专利]对红外光子记忆存储的存储器及方法有效
| 申请号： | 201610912744.X | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106486158B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 樊乐乐;张勤芳;朱雷;孟强强 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 张海洋 |
| 地址： | 224000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种对红外光子记忆存储的存储器及方法，所述存储器包括：用于导电的导电基底；用于对红外光子进行记忆存储的二氧化钒薄膜；用于使导电基底导电的正负电极；用于为导电基底提供电流以改变二氧化钒薄膜的红外光谱透过率的直流电压源，及用于二氧化钒薄膜的对红外光子记忆存储状态进行调控的脉冲电压源。二氧化钒薄膜设置在导电基底上，正负电极设置在导电基底上且位于二氧化钒薄膜相对的两侧，直流电压源及脉冲电压源串联于正负电极之间。通过调节直流电压源，连续调控红外光谱的透过率，进而通过调节脉冲电压源，实现对红外光子的记忆存储，降低了光存储器的制作难度。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 光子 记忆 存储 存储器 方法 | ||
【主权项】：
一种对红外光子记忆存储的存储器，其特征在于，所述存储器包括：用于导电的导电基底；用于对红外光子进行记忆存储的二氧化钒薄膜；用于使所述导电基底导电的正负电极；用于为所述导电基底提供电流以改变所述二氧化钒薄膜的红外光谱透过率的直流电压源，及用于所述二氧化钒薄膜的对红外光子记忆存储状态进行调控的脉冲电压源；所述二氧化钒薄膜设置在所述导电基底上，所述正负电极设置在所述导电基底上且位于所述二氧化钒薄膜相对的两侧，所述直流电压源及所述脉冲电压源串联于所述正负电极之间。
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