[发明专利]埋入式字符线的制作方法有效
| 申请号： | 201610912976.5 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107968073B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈立强;李甫哲;郭明峰;陈界得;朱贤士 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种埋入式字符线的制作方法，首先，提供一基底，基底中包含有多个浅沟隔离，接着形成多个第一图案化材料层，位于该基底上方，其中任两相邻的第一图案化材料层之间包含有一第一凹槽，然后形成至少一第二图案化材料层，位于该第一凹槽内，以及通过各该第一图案化材料层以及该第二图案化材料层为一掩模层，进行一第一蚀刻步骤，至少于该浅沟隔离以及该基底中形成多个第二凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 字符 制作方法 | ||
【主权项】：
一种埋入式字符线的制作方法，包含:提供一基底，基底中包含有多个浅沟隔离；形成多个第一图案化材料层，位于该基底上方，其中任两相邻的第一图案化材料层之间包含有一第一凹槽；形成至少一第二图案化材料层，位于该第一凹槽内；以及以各该第一图案化材料层以及该第二图案化材料层为一掩模层，进行一第一蚀刻步骤，至少于该浅沟隔离以及该基底中形成多个第二凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
