[发明专利]一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法，在制作时利用同一光罩来同时制作元胞区和终端耐压区的结构，相对于传统的采用不同光罩分别实现元胞区和终端耐压区结构的制作，在保证器件耐压性能的同时，可以减少工艺过程及光罩层数，从而降低生产成本。并且，在器件中采用与元胞区相类似的沟槽结构来实现终端耐压区的分压环结构，可以减少在采用光罩利用注入掺杂和扩散推结制作各分压环时，为避免各分压环相互连接时需要在各分压环之间设定较大距离的间隔，有利于在保证终端耐压区性能的同时，缩小终端耐压区所占面积，从而增加器件的有效管芯数量，进一步减低器件成本。

主权项

一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在硅片衬底中通过沟槽光罩，同时形成元胞区的沟槽和终端耐压区的沟槽；在所述元胞区的沟槽内和所述终端耐压区的沟槽内，同时形成栅极；在所述硅片衬底中通过P阱光罩，同时形成所述元胞区的P阱结和所述终端耐压区的P环结；在所述硅片衬底中通过N+光罩，形成N+发射极；在所述硅片衬底上通过孔光罩，形成具有接触孔图形的介质层；在所述介质层上通过第一图形光罩，形成具有栅极引出线和发射极引出线图形的金属层。