[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。用于形成半导体器件的方法包括将掺杂离子注入到半导体衬底中。在将掺杂离子注入到半导体衬底中期间，在注入掺杂离子的掺杂离子束的主方向与半导体衬底的主晶向之间的偏差小于±0.5°。所述方法还包括在掺杂离子的注入期间控制半导体衬底的温度，使得半导体衬底的温度在用于注入掺杂离子的注入工艺时间的70%以上中在目标温度范围内。目标温度范围从目标温度下限达到目标温度上限。目标温度下限等于目标温度减去30°C。目标温度高于80°C。

主权项

一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：将掺杂离子注入到半导体衬底中，其中在将掺杂离子注入到半导体衬底中期间，在将掺杂离子进行注入的掺杂离子束的主方向与半导体衬底的主晶向之间的偏差小于±0.5°；以及在掺杂离子的注入期间控制半导体衬底的温度，使得半导体衬底的温度在用于注入掺杂离子的注入工艺时间的70%以上中处在目标温度范围内，其中所述目标温度范围从目标温度下限达到目标温度上限，其中目标温度下限等于目标温度减去30°C，其中目标温度高于80°C。