[发明专利]一种p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610914169.7 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711201B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;岳士录;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张宇娟;王煦丽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型非晶氧化物半导体薄膜，所述p型非晶氧化物半导体薄膜为CrMCuO，薄膜为非晶态且具有p型导电性；其中：Cr为+3价；M为Zn、Mg、Mn元素中的一种、且M为+2价，Cr与M共同与O结合形成CrMCuO薄膜的p型导电基体；Cu为+1价，且Cu与Cr和M共同作用形成空间网络结构，在非晶状态下彼此连通，起到空穴传输通道的作用。本发明还提供了其中p型CrMgCuO非晶氧化物半导体薄膜的制备方法，以CrMgCuO陶瓷片为靶材，采用射频磁控溅射方法，以Ar‑O | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 非晶氧化物半导体 非晶薄膜 制备 空间网络结构 射频磁控溅射 工作气体 空穴传输 非晶态 陶瓷片 晶体管 靶材 非晶 连通 | ||
【主权项】：
1.一种p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：所述CrMCuO中Cr为+3价；M为Mg元素、且M为+2价，Cr与M共同与O结合形成所述CrMCuO非晶薄膜的p型导电基体；Cu为+1价，也形成p型导电，且Cu与Cr和M共同作用形成空间网络结构，在非晶状态下彼此连通，起到空穴传输通道的作用；所述CrMCuO为CrMgCuO时；CrMgCuO非晶氧化物半导体薄膜化学式为Cr
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