[发明专利]一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610914173.3 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711195B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;程晓涵;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/22 | 分类号： | H01L29/22;H01L29/227;H01L29/786;H01L21/02;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张宇娟;王煦丽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜，所述ZnMSnO中的M元素为过渡金属元素、且自身的氧化物为p型导电，为Cu、Ni、Ag、Au、Fe、Co、Mn元素中的一种，在所述ZnMSnO中M元素为自身的最低价态；所述ZnMSnO中，Zn为+2价，为材料的基体元素；M为最低价态，掺入基体形成p型导电；Sn为+2价，具有球形电子轨道，在非晶状态下电子云高度重合，起到空穴传输通道的作用。本发明还公开了制备p型ZnCuSnO非晶氧化物半导体薄膜的方法，以ZnCuSnO陶瓷片为靶材，采用射频磁控溅射法，制得的p型ZnCuSnO非晶薄膜的空穴浓度10 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 非晶氧化物半导体 非晶薄膜 制备 电子云 射频磁控溅射法 空穴 过渡金属元素 可见光透过率 电子轨道 基体元素 空穴传输 陶瓷片 晶体管 重合 氧化物 靶材 掺入 非晶 | ||
【主权项】：
1.一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：所述ZnMSnO中的M元素为过渡金属元素、且自身的氧化物为p型导电，在所述ZnMSnO中M元素为自身的最低价态；所述ZnMSnO中，Zn为+2价，Sn为+2价；且所述ZnMSnO中M为Cu元素，即ZnMSnO为ZnCuSnO，p型ZnCuSnO非晶薄膜的化学式为ZnCu
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