[发明专利]一种刻蚀装置在审
| 申请号： | 201610914198.3 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106328567A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 褚海波 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体良率提升领域，尤其涉及一种刻蚀装置，包括旋转刻蚀机台和至少一个加热装置，旋转刻蚀机台的腔体用于固定和刻蚀晶圆，每个加热装置分别设置于旋转刻蚀机台的腔体的边缘，所有加热装置对腔体的边缘进行加热以在刻蚀晶圆时提高对晶圆的边缘的刻蚀率，以对刻蚀流程的刻蚀均匀度进行优化，从而提高最终的产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种刻蚀装置，其特征在于，包括：旋转刻蚀机台，包括一腔体，所述腔体用于固定和刻蚀晶圆；至少一个加热装置，分别设置于所述旋转刻蚀机台的所述腔体的边缘；所有所述加热装置对所述腔体的边缘进行加热，以在刻蚀所述晶圆时提高所述旋转刻蚀机台对所述晶圆的边缘的刻蚀率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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