[发明专利]嵌入式闪存的隔离方法和制备方法

摘要

本发明涉及存储器制造技术领域，尤其涉及一种嵌入式闪存的隔离方法和制备方法，所述的隔离方法通过在半导体衬底的介质层上方沉积一层二氧化硅硬掩模层，从而实现利用湿法刻蚀进行图形转移而保留逻辑电路区上方的介质层以作隔离用，克服了传统工艺中半导体衬底表面的介质层没有办法用湿法蚀刻的方式进行图形转移的弊端；所述的制备方法通过在逻辑电路区上方形成隔离后进行存储器件区的存储结构制备工艺，并于存储结构制备工艺完成后去除逻辑电路区的隔离，从而保证存储结构制备工艺不会对逻辑电路区造成影响。

主权项

1.一种嵌入式闪存的隔离方法，其特征在于，包括：步骤一，提供一半导体衬底，所述半导体衬底上设置有存储器件区和逻辑电路区；步骤二，形成一介质层覆盖所述半导体衬底的表面；步骤三，形成一硬掩模层覆盖所述介质层；步骤四，去除位于所述存储器件区上方的所述硬掩模层，使所述存储器件区上方的所述介质层暴露；步骤五，以所述逻辑电路区上方的所述硬掩模层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺去除所述存储器件区上方的所述介质层；以及步骤六，去除所述逻辑电路区上方的所述硬掩模层，以暴露所述逻辑电路区上方的所述介质层，所述逻辑电路区上方的所述介质层将所述逻辑电路区隔离；所述介质层包括依次叠置于所述半导体衬底表面的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜；在所述步骤五中，所述采用湿法刻蚀工艺去除所述存储器件区上方的所述介质层时，仅去除位于所述存储器件区上方的所述氮化硅薄膜；在所述步骤六中，所述去除所述逻辑电路区上方的所述硬掩模层的同时，将所述存储器件区上方的所述二氧化硅薄膜去除。