[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610914857.3 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107968053B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;王彦;吴端毅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/308;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，部分基底上有栅极结构膜；形成第一侧墙和掩膜侧墙，第一侧墙分别覆盖栅极结构膜两侧侧壁，第一侧墙的顶部表面高于栅极结构膜的顶部表面，掩膜侧墙位于部分栅极结构膜上，掩膜侧墙与高于栅极结构膜顶部表面的第一侧墙侧壁接触；以第一侧墙和掩膜侧墙为掩膜刻蚀栅极结构膜，形成具有相对的第一侧和第二侧的栅极结构，第一侧墙位于栅极结构第一侧；在栅极结构第一侧和第二侧分别形成第二侧墙，栅极结构第一侧的第二侧墙在第一侧墙侧壁表面，栅极结构第二侧的第二侧墙在栅极结构和掩膜侧墙的侧壁表面；之后在栅极结构第一侧和第二侧的基底中分别对应形成漏区和源区。所述方法使工艺难度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，部分基底上具有栅极结构膜；形成第一侧墙和掩膜侧墙，第一侧墙分别覆盖栅极结构膜两侧侧壁，第一侧墙的顶部表面高于栅极结构膜的顶部表面，掩膜侧墙位于部分栅极结构膜上，且掩膜侧墙与高于栅极结构膜顶部表面的第一侧墙侧壁接触；以第一侧墙和掩膜侧墙为掩膜刻蚀栅极结构膜，形成栅极结构，所述栅极结构具有相对的第一侧和第二侧，第一侧墙位于栅极结构第一侧；在所述栅极结构的第一侧和第二侧分别形成第二侧墙，栅极结构第一侧的第二侧墙位于第一侧墙侧壁表面，栅极结构第二侧的第二侧墙位于栅极结构和掩膜侧墙的侧壁表面；形成第二侧墙后，在所述栅极结构第一侧的基底中形成漏区，在所述栅极结构第二侧的基底中形成源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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