[发明专利]石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201610914870.9 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN106449913A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 林时胜;吴志乾 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L33/04 | 分类号: | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 万尾甜;韩介梅 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管及其制备方法,该发光二极管是自下而上依次有蓝宝石衬底层或硅衬底层、p型的氮化镓层、银量子点层、石墨烯层,在氮化镓层上还设有侧面电极,在石墨烯层上设有正面电极,所述的氮化镓层为p型多晶材料,厚度为2~10μm;本发明的石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管利用银量子点表面等离子体增强发光,同时结合石墨烯材料的高透光性、高导电性和氮化镓优异的发光性能,正反偏压下均可发光且波段多样,亮度高,制备工艺简单,成本低。 | ||
搜索关键词: | 石墨 量子 氮化 双向 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管,其特征在于,自下而上依次有蓝宝石衬底层或硅衬底层(1)、p型的氮化镓层(2)、银量子点层(4)、石墨烯层(5),在氮化镓层(2)上还设有侧面电极(3),在石墨烯层(5)上设有正面电极(6),所述的氮化镓层为p型多晶材料,厚度为2~10μm。
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