[发明专利]处理工件的工艺和为该工艺设计的装置在审
| 申请号： | 201610914873.2 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106611717A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 唐昊 | 申请（专利权）人： | 浙江中纳晶微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人： | 黄小临,冯玉清 |
| 地址： | 315100 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于处理工件的工艺，比如对键合堆叠进行解键合的工艺等，以及为实施该工艺设计的装置。该工艺包括(1)制备包括载片层、工件层和位于二者之间的中介层的键合堆叠；(2)处理所述工件层；以及(3)输送气体射流至所述堆叠中两个相邻层之间的接合处以分离或解键合所述两个相邻层。本发明的技术优点包括提高的工艺效率、更高的晶圆处理产率、减小的工件表面上的应力、同时应力分布更均匀和避免功能晶圆破裂和内部器件损伤等。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 工件 工艺 设计 装置 | ||
【主权项】：
一种处理工件的工艺，包括(1)制备包括载片层、工件层和位于二者之间的中介层的键合堆叠；(2)处理所述工件层；以及(3)输送气体射流至所述堆叠中两个相邻层之间的接合处以分离或解键合所述两个相邻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
