[发明专利]磁控溅射镀膜设备有效
| 申请号： | 201610915587.8 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106544637B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 易伟华;张迅;张伯伦 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 曹红梅 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁控溅射镀膜设备，包括基板运载装置、镀膜工艺室和主控制器，所述镀膜工艺室包括依次连接的进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、出缓冲室、出过渡室和出片室，所述溅射区包括至少两组溅射室，每组溅射室之间设置有缓冲区，每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室；通过设置多组溅射区，每组溅射区包括两个溅射室，大大的增加了溅射材料的存储容量，同时可以在不同的溅射区放置不同的溅射材料实现多层膜的喷涂，并通过缓冲区实现溅射区的隔离，不同的溅射材料不会彼此渗入产生污染；可以有效的延长溅射材料的使用时间，并且可以喷涂多种材料，提高了生产效率，减少了人工操作，喷涂效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括：基板运载装置、镀膜工艺室和主控制器，所述镀膜工艺室包括依次连接的进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、出缓冲室、出过渡室和出片室，所述溅射区包括至少两组溅射室，每组溅射室之间设置有缓冲区，每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室，所述基板运载装置包括导轨和运载车，所述导轨设置在所述镀膜工艺室内，且所述导轨为环形并通过所述镀膜工艺室的外部形成闭合回路，所述主控制器控制所述基板在所述导轨上运动以通过所述镀膜工艺室实现镀膜，所述进片室、进过渡室、进缓冲室、缓冲室、出缓冲室、出过渡室、出片室和各溅射室分别连接所述主控制器。
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