[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610915622.6 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039499B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底和在衬底上方形成的纳米线结构。此外，该纳米线结构包括第一部分、第二部分和第三部分。该半导体结构还包括在纳米线结构的第三部分周围形成的栅极结构和在纳米线结构的第一部分中形成的源极区域。此外，纳米线结构中的耗尽区的长度长于栅极结构的长度并且没有与源极区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底；纳米线结构，形成在所述衬底上方，其中，所述纳米线结构包括第一部分、第二部分和第三部分；栅极结构，形成在所述纳米线结构的所述第三部分周围；源极区域，形成在所述纳米线结构的所述第一部分中，其中，所述纳米线结构中的耗尽区的长度长于所述栅极结构的长度并且没有与所述源极区域接触。
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