[发明专利]FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610915693.6 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106847917B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，提供了衬底。伪栅极形成在衬底上。第一介电层形成为在衬底上从外围环绕伪栅极。第二介电层形成为在衬底上从外围环绕第一介电层。第一介电层和第二介电层由不同的材料形成。对第一介电层执行注入操作，以在第一介电层中形成第一掺杂部分。去除伪栅极，以在所述第一介电层中形成孔。去除伪栅极的操作还包括去除第一掺杂部分的一部分，以形成具有底部径向开口区域和大于底部径向开口区域的顶部径向开口区域的孔。在孔中形成金属栅极。本发明还提供了FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 改进 金属 栅极 工艺 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成伪栅极；/n形成第一介电层，以在所述衬底上方从外围环绕所述伪栅极；/n形成第二介电层，以在所述衬底上方从外围环绕所述第一介电层，其中，所述第二介电层和所述第一介电层由不同的材料形成；/n对所述第一介电层执行注入操作，以在所述第一介电层中形成第一掺杂部分；/n去除所述伪栅极，以在所述第一介电层中形成孔，其中，去除所述伪栅极的操作包括去除所述第一掺杂部分的一部分，以形成具有底部径向开口区域和大于底部径向开口区域的顶部径向开口区域的所述孔；以及/n在所述孔中形成金属栅极。/n
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