[发明专利]一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法有效
| 申请号： | 201610915694.0 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107968048B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 何作鹏;杨素素 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；对所述半导体衬底背面进行减薄处理；去除所述半导体衬底背面表面的微裂纹层；湿法刻蚀处理所述半导体衬底的背面；在所述半导体衬底背面上形成背面金属电极。采用本发明的方法，可以降低半导体衬底和背面金属层之间的接触电阻，进而降低饱和压降值，提高其饱和压降性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 半导体器件 背面 金属 接触 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；对所述半导体衬底背面进行减薄处理；去除所述半导体衬底背面表面的微裂纹层；湿法刻蚀处理所述半导体衬底的背面；在所述半导体衬底背面上形成背面金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
