[发明专利]一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构在审
| 申请号： | 201610915787.3 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107958925A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 黄升晖 | 申请（专利权）人： | 南京励盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构，包括以下特征宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与禁带较窄的材料GaN形成I型异质结，外延层表面有以肖特基接触为主的阳极和以欧姆接触为主的阴极，其中至少有一P型区域被放置在阳极金属接触孔下氮化鎵外延层表面上周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，肖特基金属极(即阳极)内有一部分金属与这禁带宽少于1.5电子伏P型区域的接触为欧姆接触，这接触能有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴而使得器件可以安全地被使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 鎵基异质结耐 击穿 肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构，包括以下特征：1.至少有一层宽禁带势垒层AlGaN与较窄禁带材料GaN形成I型异质结，二维电子气(2DEG)位于异质结界面的GaN一侧，其中宽禁带势垒层AlGaN的厚度为10nm至50nm，较窄禁带材料GaN为非故意掺杂的，其厚度为1um至5um；2.外延层表面有以肖特基接触为主的阳极和以欧姆接触为主的阴极，肖特基金属极(即阳极)处有场板；3.其中至少有一P型区域被放置在肖特基金属极之下氮化鎵外延层表面处周围附近；4.这氮化鎵外延层表面处的P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层；5.肖特基金属极处的金属与这层禁带宽少于1.5电子伏的P型区域的接触部分为金属/P型区的欧姆接触或接近欧姆接触，与非P型区域外延层表面接触为金属/氮化鎵帽层或是金属/AlGaN层或氮化鎵的是肖特基接触。
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