[发明专利]衬底处理装置及使用所述衬底处理装置的衬底处理方法有效
申请号: | 201610916058.X | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN106711065B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 玄俊镇;诸成泰;宋炳奎;金龙基;金劲勋;金苍乭;申良湜;金哉佑 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种衬底处理装置及使用所述衬底处理装置的衬底处理方法,且更具体而言,涉及一种能够改善参与衬底处理工艺的工艺气体的流量的衬底处理装置及使用衬底处理装置的方法。根据示例性实施例的衬底处理装置包括:预腔室,衬底被载送至预腔室中;工艺腔室,与预腔室连通且在工艺腔室中执行衬底处理工艺;衬底舟,包括多个分隔板以分隔装载空间,并进行升降,衬底被装载至装载空间中;气体供应单元,用以经由设置于工艺腔室中的多个喷射喷嘴将工艺气体供应至衬底;排放单元,用以经由界定于工艺腔室中的多个抽吸孔来排放气体;以及交换引导构件,设置于预腔室中并用以将被载送至预腔室中的衬底放置于经多个分隔板分隔的装载空间中。 | ||
搜索关键词: | 衬底处理装置 预腔室 衬底 衬底处理 工艺腔室 装载空间 工艺气体 分隔板 分隔 气体供应单元 排放单元 排放气体 喷射喷嘴 引导构件 抽吸孔 界定 连通 升降 装载 并用 交换 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,其特征在于,包括:预腔室,衬底经由门狭缝被载送至所述预腔室中;工艺腔室,与所述预腔室连通,且在所述工艺腔室中执行衬底处理工艺;衬底舟,包括具有圆形板形状的多个分隔板以分隔装载空间以及用以支撑所述多个分隔板的多个连接杆,并进行升降,所述衬底被装载至所述装载空间中;气体供应单元,用以经由设置于所述工艺腔室中的多个喷射喷嘴将工艺气体供应至所述衬底;排放单元,用以经由设置于所述工艺腔室中的多个抽吸孔来排放气体;以及多个交换引导构件,设置于所述预腔室的内部且在与所述衬底的载送方向交叉的方向上,并用以经由传送模块的末端执行器传送将被载送至所述预腔室中的所述衬底,且放置所述衬底于经所述多个分隔板分隔的所述装载空间中,所述多个连接杆在所述衬底的所述载送方向上对称地设置且远离所述门狭缝,且所述多个连接杆中的彼此对称且在所述门狭缝的一侧的连接杆之间的宽度大于所述衬底的宽度,所述交换引导构件包括支撑部件,所述支撑部件包括设置于其上的对齐台阶式部件,在所述对齐台阶式部件上支撑所述衬底的端部,所述支撑部件的一侧具有叉形形状,以使彼此对称且在所述门狭缝的所述一侧的所述连接杆设置于叉形空间中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EUGENE科技,未经株式会社EUGENE科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610916058.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:GOA驱动电路
- 下一篇:具有过压避雷器的功率器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造