[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610916225.0 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106935567B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种互连结构，包括非绝缘体结构、介电结构、导电结构和第一介电保护层。介电结构，存在于非绝缘体结构上。介电结构具有在其中的沟槽开口和通孔开口。通孔开口在沟槽开口和非绝缘体结构之间。导电结构，存在于沟槽开口和通孔开口中，并电连接至非绝缘体结构。第一介电保护层，存在于导电结构和沟槽开口的至少一个侧壁之间。本发明实施例涉及互连结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包括：/n非绝缘体结构；/n第一介电层，位于所述非绝缘体结构上方，所述第一介电层中具有通孔开口；/n第二介电层，位于所述第一介电层上方，所述第二介电层中具有与所述通孔开口连通的沟槽开口；/n蚀刻停止层，位于所述第一介电层和所述第二介电层之间；/n导电结构，存在于所述沟槽开口和所述通孔开口中，并电连接至所述非绝缘体结构，所述导电结构与所述第一介电层的顶面直接接触；以及/n第一介电保护层，存在于所述导电结构和所述沟槽开口的至少一个侧壁之间。/n
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