[发明专利]一种制备单层六方氮化硼大单晶的方法有效
申请号: | 201610916379.X | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN107964680B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 陈珊珊;应豪;王乐 | 申请(专利权)人: | 中国人民大学 |
主分类号: | C30B25/18 | 分类号: | C30B25/18;C30B29/40;C30B29/64 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100872 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种制备大单晶六方氮化硼的方法。该方法包括:以含硼元素和氮元素的化合物为原料,在衬底上进行化学气相沉积,沉积完毕得到所述单层六方氮化硼单晶;所述化学气相沉积的体系中还含有泡沫材料。通过该方法可以简单、高效、环保的在金属衬底表面制备出高质量的大单晶六方氮化硼,且通过此方法首次在铂片表面得到大单晶六方氮化硼。 | ||
搜索关键词: | 六方氮化硼 大单晶 化学气相沉积 表面制备 泡沫材料 制备单层 氮元素 金属衬 硼元素 铂片 衬底 单层 单晶 沉积 制备 环保 | ||
【主权项】:
1.一种制备单层六方氮化硼单晶的方法,包括如下步骤:以含硼元素和氮元素的化合物为原料,在衬底上进行化学气相沉积,沉积完毕得到所述单层六方氮化硼单晶;所述化学气相沉积的体系中还含有泡沫材料;所述泡沫材料为含有对硼或者氮具有溶解度的材料;所述化学气相沉积步骤中,载气为氢气;载气的流速为10sccm‑30sccm,;气态原料的流速为5‑20sccm;体系压强为14Pa‑44Pa;沉积温度为1030℃‑1100℃;沉积时间为30min‑75min;所述泡沫材料与所述衬底的位置关系为垂直叠放、平行放置或前后放置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民大学,未经中国人民大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610916379.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。