[发明专利]增强半导体开关有效
| 申请号： | 201610916528.2 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107037854B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | R·伊林;V·卡塔尔;F·卢-鲁巴赫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开涉及增强半导体开关。第一实施例涉及一种器件，包括：第一半导体开关；集成传感器，用于确定通过第一半导体开关的电流；以及端子，在电流满足预定条件的情况下向端子提供信号。此外，提供了包括这种器件的系统和操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 半导体 开关 | ||
【主权项】：
1.一种用于降低功耗的器件，包括：‑半导体开关；‑端子；以及‑集成传感器，被配置为：从微控制器接收指示所述微控制器进入空闲模式的第一信号；响应于接收所述第一信号，确定通过所述半导体开关的电流是否满足预定条件；以及响应于确定所述电流满足所述预定条件，将第二信号传送至所述端子，以将所述微控制器从所述空闲模式唤醒。
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