[发明专利]CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极的制备方法在审
| 申请号： | 201610916550.7 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107973376A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 徐伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉力新材料有限公司 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F101/30 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 | 代理人： | 陆华君 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极的制备方法，包括S1、将纳米TiO2粉末和KOH溶液混合于100～200℃下反应10～20h，依次用去离子水和无水乙醇清洗；S2、然后将反应产物于50～80℃条件下烘烤1～3h后，得到TiO2纳米管；S3、制备CuInSe2纳米晶溶液，真空条件下，将CuCl和InCl3加入油胺中，在200℃条件下加入的硒，然后将反应液在200℃下保持2h后再升温至300℃，冷却后加入甲苯和去离子水分离产物，得到CuInSe2纳米晶溶液；S4、将TiO2纳米管浸泡于CuInSe2纳米晶溶液中，烘干后得到CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极。本发明可在TiO2纳米管光电极上制备出形貌和粒径可控的CuInSe2纳米晶，能够广泛应用于有机污染物的光催化分解。 | ||
| 搜索关键词： | cuinse2 纳米 修饰 tio2 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1、将纳米TiO2粉末和KOH溶液混合于100～200℃下反应10～20h，依次用去离子水和无水乙醇清洗；S2、然后将反应产物于50～80℃条件下烘烤1～3h后，得到TiO2纳米管；S3、制备CuInSe2纳米晶溶液，真空条件下，将CuCl和InCl3加入油胺中，在200℃条件下加入的硒，然后将反应液在200℃下保持2h后再升温至300℃，冷却后加入甲苯和去离子水分离产物，得到CuInSe2纳米晶溶液；S4、将TiO2纳米管浸泡于CuInSe2纳米晶溶液中，烘干后得到CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极。
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