[发明专利]有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法有效
| 申请号： | 201610916619.6 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106249549A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 闵苏 | 申请（专利权）人： | 南京华东电子信息科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210033 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，包括以下步骤：(1)制作石英基板；(2)对基板进行负性有机膜涂布；(3)对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；(4)对曝光后的基板进行显影，不透光区域的有机膜被除去；(5)对基板进行ITO沉积镀膜；(6)对基板进行正性光刻胶涂布、曝光；(7)对基板进行显影，铬膜和半透膜区域的光刻胶存在，其余区域的光刻胶被除去；(8)对基板进行蚀刻，形成ITO所需的图案。本发明的方法有效的节省了掩膜板的使用数量，也降低了曝光机的负荷，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 膜技术 ito 薄膜 技术 共用 掩膜板 方法 | ||
【主权项】：
一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)制作石英基板：石英基板上镀一层铬膜，镂空区域对应有机膜技术的过孔或空白区，半透膜区域对应ITO薄膜技术的图案；(2)对基板进行负性有机膜涂布；(3)对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；(4)对曝光后的基板进行显影，不透光区域的有机膜被除去；(5)对基板进行ITO沉积镀膜；(6)对基板进行正性光刻胶涂布、曝光；(7)对基板进行显影，铬膜和半透膜区域的光刻胶存在，其余区域的光刻胶被除去；(8)对基板进行蚀刻，形成ITO所需的图案。
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