[发明专利]非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜工艺技术有效

专利信息
申请号: 201610916746.6 申请日: 2016-10-21
公开(公告)号: CN106435481B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 袁俊;赵鹏;黎秉哲;何雯瑾;龚晓霞;信思树;冯江敏;苏玉辉;莫镜辉 申请(专利权)人: 云南北方昆物光电科技发展有限公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/14;C23C14/16;H01L31/09;H01L31/0203
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 仇蕾安
地址: 650000 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜工艺技术,尤其是一种可靠性高,寿命长的非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜工艺技术。本发明的工艺技术是在探测器窗口上顺序沉积五层金属膜,第一层为铬膜,第二层为铬镍合金膜,第三层为镍膜,第四层为镍金膜,第五层金膜,其中第二层和第四层膜系为合金膜,即在第一层、第三层膜系和第三层、第五层膜系之间同时生长两种不同类型的薄膜,达到两种金属膜互扩散,从而使得层层膜系间强度高、焊接后不会产生空洞,提高了组件的寿命和可靠性。本发明在各层电极膜之间提供一层过渡层来增加层与层间的附着力,焊接后,焊料与焊接层产生互扩散后,焊接后不会产生空洞,提高了组件的寿命和可靠性。
搜索关键词: 制冷 平面 探测器 封装 用电 薄膜 工艺技术
【主权项】:
一种非制冷焦平面探测器封装用电极薄膜工艺技术,其特征在于该工艺技术是在探测器窗口上顺序沉积五层金属膜,第一层为铬膜,第二层为铬镍合金膜,第三层为镍膜,第四层为镍金膜,第五层金膜,其中第二层和第四层膜系为合金膜,即在第一层、第三层膜系和第三层、第五层膜系之间同时生长两种不同类型的薄膜,达到两种金属膜互扩散,从而使得层层膜系间强度高、焊接后不会产生空洞,提高了组件的寿命和可靠性。
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