[发明专利]一种图形化精细导电薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种图形化精细导电薄膜，其包括基底和图形化精细电极，图形化精细电极放置于基底上或嵌入到基底中，图形化精细电极的电极的宽度在50nm‑10μm之间，高度在10nm‑10μm之间，表面粗糙度在0.1nm到100nm之间。本发明同时还公开了一种图形化精细导电薄膜的制作方法。本发明实现具有精细、高透过率、低方阻、高绕曲性能的图案化电极；不存在刻蚀工艺，绿色环保，电极分辨率能达到100nm，操作简单，适合大面积、低成本生产，可以用于触控屏，太阳能电池，LCD显示，OLED显示，QLED显示等应用领域。

主权项

1.一种图形化精细导电薄膜的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：1)根据应用领域设计并确定电极图案的三维结构；2)利用光刻工艺或者机械精密加工工艺制作模板；3)通过一次或者多次图形转移，将电极图案转移到模板；4)通过纳米压印技术，将电极图案转移到位于导电衬底上方的胶质层中，新电极图案的沟槽位置露出导电衬底；5)用电沉积工艺，在沟槽表面生长电极材料，电极高度小于或者略大于槽深；6)将沉积电极转移到承印衬底上；所述步骤4)中，所述导电衬底为金属，或者，为镀有金属的柔性或刚性衬底，或镀有导电氧化物的柔性或者刚性衬底；所述胶质层为固化的高分子材料；所述步骤4)中，压印后新电极图案的沟槽位置露出导电衬底包括以下操作的一个：步骤41)：基于软模板的纳米压印技术选择胶质材料，对软模板施加适当压力，软模板和导电衬底取得共形接触，固化脱模，电极图案转移到胶质层中，在软模板和导电衬底上直接接触区域，会露出导电衬底；步骤42)：采用离子束刻蚀或氧离子刻蚀工艺，对压印后的胶质层进行整体灰化减薄，直至在沟槽位置露出导电衬底；所述步骤6)中，将沉积电极转移到承印衬底上包含以下操作的一种：电极沉积后，进行清洗操作，涂布一层固化胶层，将承印衬底覆盖其上，固化后分离，包含有电极图案的固化胶层和胶质层从导电衬底转移到承印衬底上；或者，电极沉积后，去除胶质层，涂布一层固化胶层，将承印衬底覆盖其上，固化后分离，包含有电极图案的固化胶层被转移到承印衬底上；或者，电极沉积后，去除胶质层，对承印衬底进行一定的表面修饰，施加压力，承印衬底和导电衬底接触，施加一定的作用力，电极图案和承印衬底形成桥连，并与导电衬底分离，电极图案被转移到承印衬底的表面。