[发明专利]用于RRAM结构的底部电极、RRAM单元及其形成方法在审
| 申请号： | 201610917324.0 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039585A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 杨仁盛;朱文定;廖钰文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括具有绝缘芯的多层底部电极的RRAM单元以及相关的形成方法，该RRAM单元提供了良好的间隙填充能力。在一些实施例中，RRAM单元包括具有绝缘底部电极(BE)层的多层底部电极，该绝缘底部电极层横向布置在导电下部BE层的侧壁之间并且垂直布置在导电下部BE层与导电上部BE层之间。具有可变电阻的介电数据存储层布置在多层底部电极上方，并且顶部电极布置在介电数据存储层上方。与导电材料相比，底部电极的绝缘芯能够更好地填充具有大高宽比的间隙，从而使多层底部电极具有平整的上表面以避免上面的层的形貌问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 rram 结构 底部 电极 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种RRAM(电阻式随机存取存储器)单元，包括：多层底部电极，包括绝缘底部电极(BE)层，并且横向地布置在第一导电下部底部电极层的侧壁之间并且垂直地布置在所述第一导电下部底部电极层与导电上部底部电极层之间；介电数据存储层，具有可变电阻，其中，所述介电数据存储层布置在所述多层底部电极上方；以及顶部电极，布置在所述介电数据存储层上方。
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