[发明专利]具有过压避雷器的功率器件有效
| 申请号： | 201610917599.4 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711108B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | T·巴斯勒;E·富尔古特;S·福斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/48;H01L23/62;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本公开涉及具有过压避雷器的功率器件。一种示例功率器件，包括半导体芯片和避雷器元件，避雷器元件可配置成响应于跨避雷器元件的电压大于阈值电压而在隔离层周围产生电流路径，隔离层被配置成将半导体芯片与被配置成消散由半导体芯片生成的热的热沉电隔离。在这一示例功率器件中，阈值电压小于隔离层的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率器件 半导体芯片 避雷器元件 隔离层 过压避雷器 阈值电压 电流路径 击穿电压 电隔离 可配置 热沉 配置 消散 响应 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，包括：多个端子腿；半导体芯片，所述半导体芯片连接到所述多个端子腿中的至少两个端子腿；以及避雷器元件，所述避雷器元件可配置成响应于跨所述避雷器元件的电压大于阈值电压而在隔离层周围产生电流路径，所述隔离层被配置成将所述半导体芯片与热沉电隔离，所述热沉被配置成消散由所述半导体芯片生成的热，其中所述阈值电压小于所述隔离层的击穿电压，并且其中，为了在所述隔离层周围产生所述电流路径，所述避雷器元件被配置成产生从所述半导体芯片到所述多个端子腿中不同于所述至少两个端子腿的附加的端子腿的电流路径。
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