[发明专利]立式热处理装置有效
申请号: | 201610917830.X | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN107017181B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 入宇田启树;福岛讲平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种立式热处理装置,该立式热处理装置包括:基板保持器具,其具有:支柱;基板保持部,其沿着所述支柱设有多个,用于分别保持基板;气流引导部,其针对每个基板设于所述支柱,以其周缘部向比基板靠外侧的位置伸出的方式形成;升降台,其用于支承所述基板保持器具而将所述基板保持器具从所述反应容器的下方输入所述反应容器;旋转机构,其设于所述升降台,用于使所述基板保持器具绕纵轴旋转;处理气体供给口和排气口,其分别设于保持有所述多个基板的基板保持区域的后方侧和前方侧;整流部,其以在所述基板保持区域的左右从外侧朝向彼此相邻的气流引导部之间的空间突出而面对该空间的方式相对于所述基板保持器具独立地设置。 | ||
搜索关键词: | 立式 热处理 装置 | ||
【主权项】:
一种立式热处理装置,在由加热部包围的立式的反应容器内形成从一侧朝向另一侧横向流动的处理气体的气流而对呈搁板状配置的多个基板进行处理,其中,该立式热处理装置包括:基板保持器具,其具有:支柱;基板保持部,其沿着所述支柱设有多个,用于分别保持基板;气流引导部,其针对每个基板设于所述支柱,以其周缘部向比基板靠外侧的位置伸出的方式形成;升降台,其用于支承所述基板保持器具而将所述基板保持器具从所述反应容器的下方输入所述反应容器;旋转机构,其设于所述升降台,用于使所述基板保持器具绕纵轴旋转;处理气体供给口和排气口,其分别设于保持有所述多个基板的基板保持区域的后方侧和前方侧;整流部,其以在所述基板保持区域的左右从外侧朝向彼此相邻的气流引导部之间的空间突出而面对该空间的方式相对于所述基板保持器具独立地设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610917830.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种校验级联极化码编码方法及系统
- 下一篇:实现载波聚合的装置及移动终端
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造