[发明专利]掺杂剂注入层、其形成方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610918280.3 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107039532B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 今村哲也;富泽由香;池田吉纪 | 申请（专利权）人： | 帝人株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/02;H01L21/22;H01L21/225;H01L21/268;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;李炳爱 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 注入 形成 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
掺杂剂注入层，该掺杂剂注入层具有：掺杂剂化合物含有层，该掺杂剂化合物含有层含有具有掺杂剂元素的掺杂剂化合物；以及光吸收粒子含有层，该光吸收粒子含有层含有由在100‑1000nm的范围内具有峰吸收波长的材料构成的光吸收粒子；在所述掺杂剂化合物含有层上层合有所述光吸收粒子含有层，所述掺杂剂注入层层合在半导体基材上，并且所述光吸收粒子由与所述半导体基材相同的元素构成。
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