[发明专利]可磁调控分光比的单模光纤耦合器在审
| 申请号： | 201610919248.7 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106324761A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 卜胜利;王兆芳;廉吉庆;黄晨;王伟;苏德龙;杨引;毛连敏;徐进美;王兆力;管露露 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/28 | 分类号： | G02B6/28 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可磁调控分光比的单模光纤耦合器，包括拉2×2单模光纤耦合器、四氟管、UV胶和磁流体，拉制两根单模光纤成两端大向中间变小的锥形结构，中间段形成直径不变一段耦合腰区，形成2×2单模光纤耦合器,2×2单模光纤耦合器的两根单模光纤穿入四氟管中，四氟管中注满磁流体，单模光纤耦合器的耦合腰区置于磁流体环境中，四氟管的两端用UV胶密封，磁流体包覆的耦合腰区置于外加磁场中实现磁调控分光比。通过外加磁场来调控磁性纳米粒子的分布和排列，改变磁流体的折射率，从而实现对单模光纤耦合器分光比的在线、实时调谐。制作工艺简单、成本低廉、调谐线性度高。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 分光 单模 光纤 耦合器 | ||
【主权项】：
一种可磁调控分光比的单模光纤耦合器，其特征在于，包括拉2×2单模光纤耦合器、四氟管、UV胶和磁流体，拉制两根单模光纤成两端大向中间变小的锥形结构，中间段形成直径不变一段耦合腰区，形成2×2单模光纤耦合器,2×2单模光纤耦合器的两根单模光纤穿入四氟管中，四氟管中注满磁流体，单模光纤耦合器的耦合腰区置于磁流体环境中，四氟管的两端用UV胶密封，磁流体包覆的耦合腰区置于外加磁场中实现磁调控分光比。
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