[发明专利]一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，包括如下步骤：(1)将待测硅片进行扩散制结、去杂质玻璃层之后，采用四探针法测试其方块电阻，记为R1；(2)将步骤(1)的硅片进行热处理，激活其掺杂死层；(3)再次采用四探针法测试步骤(2)的硅片的方块电阻，记为R2；(4)当R1>R2并且(R1‑R2)/R1≥3%时，则判定晶体硅太阳能电池存在扩散死层，且扩散死层中杂质原子的浓度和掺杂层中杂质原子的浓度之比为(R1‑R2)/R1。本发明通过激活掺杂死层的方式，测试激活前后方阻变化或者ECV分布的变化，从而确定掺杂工艺是否形成了死层。

主权项

1.一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将待测硅片进行扩散制结、去杂质玻璃层之后，采用四探针法测试其方块电阻，记为R1；(2) 将步骤(1)的硅片进行热处理，激活其扩散死层；(3) 再次采用四探针法测试步骤(2)的硅片的方块电阻，记为R2；(4) 当R1>R2并且(R1‑R2)/R1≥3%时，则判定晶体硅太阳能电池存在扩散死层，且扩散死层中杂质原子的浓度和掺杂层中杂质原子的浓度之比为(R1‑R2)/R1。