[发明专利]闪存存取方法与应用此方法的闪存在审

专利信息
申请号: 201610919788.5 申请日: 2016-10-21
公开(公告)号: CN106970853A 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 林建彰;曾孝闻 申请(专利权)人: 钰创科技股份有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 代理人: 姚垚,曹正建
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种闪存存取方法与应用此方法的闪存,此方法包括下列步骤从闪存读取第一数据,第一数据具有第一储存数据与第一错误更正数据,第一储存数据具有第一数据长度,第一错误更正数据具有第二数据长度;得到关于第一储存数据的第一错误参数;当第一错误参数大于第一门坎值时,选择性地将第一储存数据写入闪存为第二数据,第二数据具有第一储存数据与第二错误更正数据,第二错误更正数据具有第三数据长度,第三数据长度大于第二数据长度,第一错误更正数据与第二错误更正数据以第一算法,依据第一储存数据所产生。
搜索关键词: 闪存 存取 方法 应用
【主权项】:
一种闪存存取方法,其特征在于,包括:从一闪存读取一第一数据,该第一数据具有一第一储存数据与一第一错误更正数据,该第一储存数据具有第一数据长度,该第一错误更正数据具有一第二数据长度;得到关于该第一储存数据的一第一错误参数;以及当该第一错误参数大于一第一门坎值时,选择性地将该第一储存数据写入该闪存为一第二数据,该第二数据具有该第一储存数据与一第二错误更正数据,该第二错误更正数据具有一第三数据长度,该第三数据长度大于该第二数据长度,该第一错误更正数据与该第二错误更正数据以一第一算法,依据该第一储存数据所产生。
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