[发明专利]一种用于化学气相沉积金刚石薄膜的紧凑型真空反应装置有效
申请号: | 201610920789.1 | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN106498367B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 白清顺;王永旭;赵航;余天凯;杜云龙;张庆春 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/27 |
代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种用于化学气相沉积金刚石薄膜的紧凑型真空反应装置。属于金刚石薄膜的化学气相沉积技术领域。为了解决真空条件下CVD金刚石薄膜在微刀具上的沉积问题。壳体上下端分别与上盖和底座可拆卸密封连接构成反应室,真空计固定在上盖上,真空计的检测端紧密穿入上盖设置在壳体内,上盖上固定有与壳体内腔相通的管路,针阀固定在上盖的管路上,针阀与管路相通,上盖的观察孔一处固定有观察窗一,上盖上设有多个冷水环槽,壳体的侧壁上的两个观察孔二处各固定有一个观察窗二,电磁阀固定在底座的进气孔处,导气管一端连接于进气箱,另一端与反应室相通,导气管上安装有导气阀门,载物台设置在反应室内并固定在底座上。本发明主要用于对沉积件微刀具表面金刚石薄膜沉积。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 化学 沉积 金刚石 薄膜 紧凑型 真空 反应 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于化学气相沉积金刚石薄膜的紧凑型真空反应装置,其特征在于:其组成包括真空计(1)、针阀(2)、上盖(3)、壳体(4)、底座(6)、电磁阀(7)、红外测温仪(8)、导气管(11)、导气阀门(12)、载物台(9)及三个观察窗(5);所述的三个观察窗(5)分别是观察窗一(5‑1)及两个观察窗二(5‑2);所述的壳体(4)上端和下端分别与上盖(3)和底座(6)可拆卸密封连接,由壳体(4)、上盖(3)和底座(6)组合构成反应室,所述的真空计(1)固定在上盖(3)上表面,所述的真空计(1)的检测端紧密穿入上盖(3)上的通孔设置在壳体(4)内,所述的上盖(3)上固定有与壳体(4)内腔相通的管路,所述的针阀(2)固定在上盖(3)的管路上,针阀(2)与管路相通,上盖(3)上设置有观察孔一,所述的观察孔一处设置有观察窗一(5‑1),所述的观察窗一(5‑1)固定在上盖(3)上表面,上盖(3)上设有多个冷水环槽(3‑3),上盖(3)上设有导气孔一;所述的壳体(4)由焊接壳体(4‑1)和冷水槽壳体(4‑2)组成,所述的焊接壳体(4‑1)和冷水槽壳体(4‑2)均为圆筒形状,所述的冷水槽壳体(4‑2)紧密套装在焊接壳体(4‑1)外侧且二者焊接,所述的冷水槽壳体(4‑2)的内壁上加工有多个同轴的圆环形冷水槽(4‑3),冷水槽壳体(4‑2)的侧壁上设置有进水孔(4‑4)和出水孔(4‑5),所述的进水孔(4‑4)设置在多个圆环形冷水槽(4‑3)中位于最底部的圆环形冷水槽(4‑3)的槽底面上,所述的出水孔(4‑5)设置在多个圆环形冷水槽(4‑3)中位于最顶部的圆环形冷水槽(4‑3)的槽底面上,每相邻两个圆环形冷水槽(4‑3)共用的侧壁上均加工有一个豁口二,冷水槽壳体(4‑2)的内壁上竖直设置有一个水槽隔墙二(4‑6),所述的水槽隔墙二(4‑6)穿过所有的豁口二设置,且水槽隔墙二(4‑6)与每个豁口二之间形成一个水槽出水口(4‑7),每相邻两个圆环形冷水槽(4‑3)的两个水槽出水口(4‑7)错位设置;壳体(4)的侧壁上设置有两个观察孔二,每个所述的观察孔二处均设置有一个观察窗二(5‑2),所述的两个观察窗二(5‑2)固定在壳体(4)的外侧壁上,所述的红外测温仪(8)紧邻其中一个观察窗二(5‑2)设置,底座(6)上设有导气孔二,所述的电磁阀(7)固定在底座(6)的导气孔二处,电磁阀(7)一端通过底座(6)上的导气孔二与反应室相通,电磁阀(7)另一端与真空泵(14)相连;所述的导气管(11)一端连接于进气箱,导气管(11)另一端紧密穿入上盖(3)上设有的导气孔通进反应室,导气管(11)上安装有导气阀门(12),所述的导气阀门(12)设置在反应室的外部,所述的载物台(9)设置在反应室内并固定在底座(6)上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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