[发明专利]一种改进的改良西门子法多晶硅还原炉底盘

摘要

一种改进的改良西门子法多晶硅还原炉底盘，本发明涉及一种多晶硅还原炉底盘的改进。解决现有多晶硅还原炉生产产能小、能耗高，生成的多晶硅棒质量不均匀，气体原料的一次转化率较低的问题。在底盘的中心位置设有底盘中心进气喷嘴，在进气喷嘴一环环形中心线及进气喷嘴二环环形中心线上设有进气喷嘴；在底盘气体出口环环形中心线上设有4个底盘气体出口；电极一环环形中心线、电极二环环形中心线、电极三环环形中心线、电极四环环形中心线及电极五环环形中心线上设有电极。与原有的24对棒还原炉相比，36对棒还原炉可以提升产率，降低能耗，提高混合气体一次转化率，利用了原有设备，节约成本，保证生产。

主权项

1.一种改进的改良西门子法多晶硅还原炉底盘，其特征在于：一种改进的改良西门子法多晶硅还原炉底盘包括底盘(1)、4个第一电极(6‑1)、8个第二电极(7‑1)、16个第三电极(8‑1)、16个第四电极(9‑1)、28个第五电极(10‑1)、1个底盘中心进气喷嘴(2)、4个第一进气喷嘴(3‑1)和8个第二进气喷嘴(4‑1)；4个第一电极(6‑1)均匀设置在电极一环环形中心线(6)上，且相邻两个第一电极(6‑1)中心之间直线距离为190mm～230mm；8个第二电极(7‑1)平均分为4个第二电极组，4个第二电极组均匀设置在电极二环环形中心线(7)上，且每个第二电极组中相邻两个第二电极(7‑1)中心之间直线距离为190mm～230mm；16个第三电极(8‑1)平均分为8个第三电极组，8个第三电极组均匀设置在电极三环环形中心线(8)上，且每个第三电极组中相邻两个第三电极(8‑1)中心之间直线距离为190mm～230mm；16个第四电极(9‑1)平均分为4个第四电极组，4个第四电极组均匀设置在电极四环环形中心线(9)上，且每个第四电极组中相邻两个第四电极(9‑1)中心之间直线距离为190mm～230mm；28个第五电极(10‑1)平均分为14个第五电极组，14个第五电极组均匀设置在电极五环环形中心线(10)上，且每个第五电极组中相邻两个第五电极(10‑1)中心之间直线距离为190mm～230mm；在底盘(1)的中心位置设有底盘中心进气喷嘴(2)，在底盘(1)上设有4个第一进气喷嘴(3‑1)、4个底盘气体出口(5‑1)及8个第二进气喷嘴(4‑1)；4个第一进气喷嘴(3‑1)均匀分布在进气喷嘴一环环形中心线(3)上；4个底盘气体出口(5‑1)均匀分布在底盘气体出口环环形中心线(5)上；8个第二进气喷嘴(4‑1)平均分为4个进气喷嘴组，4个进气喷嘴组均匀设置在进气喷嘴二环环形中心线(4)上，每个进气喷嘴组中相邻两个第二进气喷嘴(4‑1)中心之间直线距离为190mm～230mm；且在底盘中心进气喷嘴(2)外侧并沿底盘(1)圆心向底盘(1)的外围方向依次设置电极一环环形中心线(6)、进气喷嘴一环环形中心线(3)、电极二环环形中心线(7)、底盘气体出口环环形中心线(5)、电极三环环形中心线(8)、电极四环环形中心线(9)、进气喷嘴二环环形中心线(4)和电极五环环形中心线(10)；所述的底盘(1)直径为2200mm～3000mm；所述的进气喷嘴一环环形中心线(3)直径为400mm～500mm；所述的电极二环环形中心线(7)直径为600mm～800mm；所述的底盘气体出口环环形中心线(5)直径为800mm～900mm；所述的电极三环环形中心线(8)直径为1000mm～1200mm；所述的电极四环环形中心线(9)直径为1400mm～1600mm；所述的进气喷嘴二环环形中心线(4)直径为1600mm～1800mm；所述的电极五环环形中心线(10)直径为1900mm～2100mm；所述的进气喷嘴一环环形中心线(3)、进气喷嘴二环环形中心线(4)、底盘气体出口环环形中心线(5)、电极一环环形中心线(6)、电极二环环形中心线(7)、电极三环环形中心线(8)、电极四环环形中心线(9)、电极五环环形中心线(10)和底盘(1)为同心圆；所述的底盘(1)为圆盘结构。