[发明专利]一种含碳化硅纳米粒子薄膜材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种含碳化硅纳米粒子薄膜材料的低温制备方法，该方法包括以下步骤（1）玻璃片或硅片的清洗；（2）以硅烷和甲烷为反应气体，通过调整沉积功率、压强、温度及流量比等工艺参数采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃片或硅片上沉积碳化硅纳米粒子薄膜。本发明方法主要通过优化等离子体增强化学气相沉积技术制备工艺参数，调控碳基和硅基等离子体基元能量和活性，控制它们在玻璃片或硅片表面的生长反应从而在玻璃片和硅片上合成致密分布的碳化硅纳米粒子。经过上述步骤所制备的碳化硅纳米粒子薄膜具有工艺简单、成本低以及碳化硅纳米粒子排列致密性高等优点。

主权项

一种含碳化硅纳米粒子薄膜材料的制备方法，其特征在于，其步骤包括：（1）清洗玻璃片或单晶硅片;（2）以硅烷和甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃或单晶硅基片上制备含碳化硅纳米粒子薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率密度：400 ～ 800 W/cm2，射频频率：13.56 MHz，沉积温度：250 ～ 300℃，沉积压强：70～120 Pa;经过上述两个简单步骤，一种含碳化硅纳米粒子薄膜材料便制备完成。