[发明专利]CMOS图像传感器深P型阱层的光刻工艺方法在审
| 申请号： | 201610924527.2 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106449376A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 邹荣;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/266;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS图像传感器深P型阱层的光刻工艺方法，包括：第一步骤：根据CMOS图像传感器深P型阱层图形制作第一光罩和第二光罩；其中，第一光罩包括在垂直方向上依次交替邻接形成的第一矩形曝光区和第一矩形光刻胶残留区，第二光罩包括在水平方向上依次交替邻接形成的第二矩形曝光区和第二矩形光刻胶残留区；第二步骤：利用第一光罩执行水平方向的深P阱层离子注入；第三步骤：利用第二光罩执行垂直方向的深P阱层离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 型阱层 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器深P型阱层的光刻工艺方法，其特征在于包括：第一步骤：根据CMOS图像传感器深P型阱层图形制作第一光罩和第二光罩；其中，第一光罩包括在垂直方向上依次交替邻接形成的第一矩形曝光区和第一矩形光刻胶残留区，第二光罩包括在水平方向上依次交替邻接形成的第二矩形曝光区和第二矩形光刻胶残留区；第二步骤：利用第一光罩执行水平方向的深P阱层离子注入；第三步骤：利用第二光罩执行垂直方向的深P阱层离子注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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