[发明专利]一种金属纳微米枝晶有序阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种金属纳微米枝晶有序阵列的制备方法，以导电阵列基底为工作电极，电解液包括金属盐溶液和用量为金属盐溶液按摩尔浓度计0～5％的添加剂，通过伏安法在其表面可控电沉积金属纳微米枝晶，获得金属纳微米枝晶有序阵列，所述导电阵列基底为具有有序导电阵列的基底，所述添加剂包括络合剂或表面活性剂中的至少一种，其用于促进金属纳微米枝晶的形成并调控形貌。本发明提供的金属纳微米枝晶有序阵列的制备方法，工艺简单，易于操作，制作时间短、效率高，适用于工业化生产和应用，制得的金属枝晶有序阵列形状、厚度、尺寸可控。

主权项

1.一种金属纳微米枝晶有序阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，制备导电阵列基底：将光刻胶均匀涂覆至基底上，涂覆厚度为0.1～20μm，置于紫外光下照射后烘烤，制得具有有序导电阵列的导电阵列基底；S2，制备金属纳微米枝晶有序阵列：以S1制得的导电阵列基底为工作电极，通过伏安法在其表面可控电沉积金属纳微米枝晶，电沉积完成后，将导电阵列基底取下，自然风干或烘干，获得金属纳微米枝晶有序阵列；所述步骤S2中采用硝酸银及表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵CTAB作为电解液，CTAB的用量为硝酸银溶液摩尔浓度的1％，控制电压为‑0.8～0.2V，通过伏安法在导电阵列基底的表面可控电沉积银纳米枝晶，电沉积时间5分钟至2小时；或者步骤S2中采用氯金酸溶液及表面活性剂十二烷基硫酸钠SDS作为电解液，SDS的用量为氯金酸溶液摩尔浓度的0.5％，控制电压为‑1～0.5V，通过伏安法在导电阵列基底的表面可控电沉积金纳米枝晶，电沉积时间10分钟至6小时；或者步骤S2中采用醋酸铜及络合剂四乙酸二氨基乙烯EDTA作为电解液，EDTA的用量为醋酸铜溶液摩尔浓度的0.2％，控制电压为‑3～‑0.2V，通过伏安法在导电阵列基底的表面可控电沉积铜纳米枝晶，电沉积时间2分钟至10小时；或者步骤S2中采用氯铂酸钾作为电解液，控制电压为‑5～0.5V，通过伏安法在导电阵列基底的表面可控电沉积铂纳米枝晶，电沉积时间1分钟至8小时；或者步骤S2中采用硫酸亚铁及表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮PVP作为电解液，PVP的用量为硫酸亚铁溶液摩尔浓度的1％，控制电压为‑5～‑0.5V，通过伏安法在导电阵列基底的表面可控电沉积铁纳米枝晶，电沉积时间3分钟至6小时。