[发明专利]在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法有效
| 申请号： | 201610926004.1 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN107022789B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | V·斯瓦拉马克瑞希楠;T·S·拉维;A·卡祖巴;Q·V·特鲁翁;J·R·瓦特斯 | 申请（专利权）人： | 斯瓦高斯技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B25/12;C30B25/14;C30B25/16;C30B25/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱立鸣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种通过硅前体消耗模式中的外延沉积与交叉流沉积来沉积薄的单晶硅晶片的系统，其可包括：具有低总热量、高发射率和小体积的衬底载体；具有快速升温、高效产热、和加热空间控制的灯模块；以及为交叉流处理而设计的歧管。此外，衬底载体可包括热反射器，以控制从载体边缘的热损失和/或控制热阻挡件，以使载体与歧管热绝缘，使歧管可进行的独立的温度控制。载体和衬底可配置成在衬底的两侧进行沉积，衬底在两侧上具有剥离层以及载体配置成在衬底在两侧上具有均等的工艺气流。通过一种包括多个微型批量处理反应器的沉积系统可处理高容量。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 反应器 中的 衬底 沉积 晶片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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