[发明专利]一种低反射率膜层结构在审
申请号: | 201610926273.8 | 申请日: | 2016-10-24 |
公开(公告)号: | CN106549065A | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 袁中存;党继东;龙维绪;俞亚东;徐东升;张标 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0376 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种低反射率膜层结构,包括硅片,所述硅片的正面有正面绒面,所述正面绒面上由下至上依次设有非晶硅膜层、底层高折射率膜层、中间高折射率膜层和表面渐变膜层,所述表面渐变膜层上设有表面低折射率膜层。该低反射率膜层结构通过增加非晶硅膜层,用以增强吸光性和光的吸收率;通过增加底层高折射率膜层,用以钝化非晶硅层中的缺陷,从而非晶硅膜层、底层高折射率膜层、中间高折射率膜层和表面渐变膜层共同配合降低反射率,提高电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 反射率 结构 | ||
【主权项】:
一种低反射率膜层结构,包括硅片(1),所述硅片(1)的正面有正面绒面(3),其特征在于,所述正面绒面(3)上由下至上依次设有非晶硅膜层(6)、底层高折射率膜层(7)、中间高折射率膜层(4)和表面渐变膜层(5)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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