[发明专利]多位元三维偏置印录存储器有效
| 申请号： | 201610927672.6 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107978336B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种多位元三维偏置印录存储器（3D‑oP）。对应于不同数码位的数据掩膜图形被合并到同一数据掩膜版上。在不同的印录步骤中，晶圆相对于该数据掩膜版的偏置量不同。因此，来自同一数据掩膜版的数据图形被印录到不同数码位的数据录入膜中。 | ||
| 搜索关键词： | 位元 三维 偏置 存储器 | ||
【主权项】：
一种多位元三维偏置印录存储器（3D‑oP），其特征在于包括：一半导体衬底；至少一个堆叠在该衬底上并与之耦合的存储层，该存储层含有至少两个数据录入膜，该两个数据录入膜存储至少两个数码阵列；在同一批次的3D‑oP芯片中，所有3D‑oP芯片均含有同样一组数码阵列集合；至少两个3D‑oP芯片的数码阵列序列不同。
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