[发明专利]一种横向恒流二极管在审
| 申请号： | 201610928600.3 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106409921A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;张安邦;信亚杰;施宜军;胡官昊;刘杰;周琦;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种横向恒流二极管(CRD)。本发明克服了传统的硅基CRD器件恒定电流与击穿电压强烈的矛盾关系，利用GaN材料高耐压的优良特性，在该型AlGaN/GaN CRDs器件在实现较大恒定电流的同时，能够实现很宽的恒流区及很高的耐压，而且通过调节相关器件结构参数，使恒定电流大小在较大范围内变化。此外，该CRD响应速度快，动态性能好。同时，本发明的CRD能够与GaN基LED器件单片集成，大大降低系统体积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 二极管 | ||
【主权项】：
一种横向恒流二极管，包括从上至下层依次层叠设置的绝缘介质层(5)、MGaN层(4)、GaN层(6)和衬底(7)；所述GaN层(6)和MGaN层(5)形成异质结；所述MGaN层(5)上层的一端具有第一金属电极(1)，另一端具有第二金属电极(3)，第一金属电极(1)和第二金属电极(3)与MGaN层(5)之间均是欧姆接触；位于第一金属电极(1)和第二金属电极(3)之间并靠近第二金属电极(3)处，还具有凹槽绝缘电极结构，所述凹槽绝缘电极结构为由部分绝缘介质层(5)垂直向下嵌入MGaN层(4)上表面形成，所形成的凹槽底部和侧面具有第三金属电极(2)，第三金属电极(2)还沿水平方向向器件的两端延伸；所述第三金属电极(2)的一端延伸至与第二金属电极(3)接触，并覆盖第二金属电极(3)的上表面，第三金属电极(2)和第二金属电极(3)连接在一起作为器件的阴极，第一金属电极(1)作为器件的阳极。
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