[发明专利]一种半导体激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610928707.8 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106451075A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 周立;潘之炜;郭栓银;谭少阳;吴涛 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/18;H01S5/24 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215163 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法。所述制备方法先将半导体激光器芯片靠近腔面处的高掺杂低阻层腐蚀出一条平行于腔面的沟槽；在沟槽及边缘区域制作SiO2绝缘层，在高掺杂低阻层再制作P面金属层且P面金属层覆盖SiO2绝缘层，使在SiO2绝缘层的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层扩散到出腔面处，而是在沟槽处被阻挡。本发明制作的半导体激光器芯片从器件工艺结构角度出发，通过减少腔面附近注入载流子浓度，可减少非辐射复合吸收，达到提高COMD发生电流的效果，能抑制半导体激光器的腔面注入电流密度过大的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器芯片，其相对的两个外侧分别为作为P电极的P面金属层(4)和作为N电极的N面金属层(12)，P面金属层(4)的内侧为高掺杂低阻层(1)；其特征在于：高掺杂低阻层(1)靠近所述半导体激光器芯片的腔面(5)处的腐蚀有一条平行于腔面(5)的沟槽(2)；在沟槽(2)及边缘区域设置有SiO2绝缘层(3)，P面金属层(4)覆盖高掺杂低阻层(1)的同时还覆盖SiO2绝缘层(3)，使在SiO2绝缘层(3)的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层(1)扩散到出腔面(5)处，而是在沟槽(2)处被阻挡。
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