[发明专利]磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备有效
| 申请号： | 201610929208.0 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108010718B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 杨玉杰;张同文;夏威;丁培军;王厚工 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/22 | 分类号： | H01F41/22;H01F7/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 薄膜 沉积 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁性薄膜沉积腔室，包括腔室主体，在所述腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件，其特征在于，还包括偏置磁场装置，所述偏置磁场装置用于在所述基座上方形成水平磁场，所述水平磁场用于在所述待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。
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