[发明专利]高压LDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610929239.6 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106409883A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 毛焜 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压LDMOS器件及其制作方法，包括第一掺杂类型的衬底；第二掺杂类型的漂移区，位于所述第一掺杂类型的衬底内；漏极，位于所述第二掺杂类型的漂移区内；源极，位于所述第一掺杂类型的衬底内；多晶硅栅极，位于所述漏极与所述源极之间的所述第一掺杂类型的衬底表面；第一掺杂类型的埋层，位于所述源极与所述漏极之间的所述第二掺杂类型的漂移区内；所述第一掺杂类型的埋层沿自所述源极至所述漏极的方向分割为相隔一定间距的两段或多段。与传统的高压LDMOS器件相比，本发明的高压LDMOS器件在获得相同耐压的前提下，拥有更短的漂移区长度及更高的漂移区浓度，从而具有更低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压LDMOS器件，其特征在于，所述高压LDMOS器件包括：第一掺杂类型的衬底；第二掺杂类型的漂移区，位于所述第一掺杂类型的衬底内；漏极，位于所述第二掺杂类型的漂移区内；源极，位于所述第一掺杂类型的衬底内；多晶硅栅极，位于所述漏极与所述源极之间的所述第一掺杂类型的衬底表面；第一掺杂类型的埋层，位于所述源极与所述漏极之间的所述第二掺杂类型的漂移区内；所述第一掺杂类型的埋层沿自所述源极至所述漏极的方向分割为相隔一定间距的两段或多段子埋层，各段所述子埋层的掺杂浓度不完全相同。
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