[发明专利]一种电容触控轨迹的质量评价方法

摘要

本发明公开了一种电容触控轨迹的质量评价方法，包括以下步骤：S1：对电容屏进行多次扫描，得到电容触控轨迹数据，利用质心法确定电容触控轨迹中各个触控点的位置坐标；S2：计算所述各个触控点的单点平滑度参数；S3：根据所述触控点的数量，求取电容触控轨迹的平均平滑度参数，作为衡量电容触控轨迹的质量评价参数，本发明可定量地对电容触摸屏输出的电容触控轨迹进行质量评价，从而评价电容式触摸屏的触控特性，以便于电容触摸屏的触控系统的性能测试和改进。

主权项

1.一种电容触控轨迹的质量评价方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对电容屏进行多次扫描，得到电容触控轨迹数据，利用质心法确定电容触控轨迹中各个触控点的位置坐标，其中所述步骤S1包括：S11：对电容屏进行多次扫描，得到由多个m×n矩阵阵列组成的电容触控轨迹数据，所述m×n矩阵阵列为其中，k为当前扫描的次数顺序，m为电容屏的驱动电极个数，n为电容屏的感应电极个数；S12：选取第k次扫描得到的所述m×n矩阵阵列C(k)中电容值最大的采样点的坐标位置为P_max(k)＝(P_maxx(k),P_maxy(k))其中，P_maxx(k)为电容值最大的采样点的x方向坐标，P_maxy(k)为电容值最大的采样点的y方向坐标；S13：将所述电容值最大的采样点的电容值与预设的阈值T进行比较，当所述电容值最大的采样点的电容值大于所述阈值T时，判定所述电容值最大的采样点为电容触控轨迹上的触控点；S14：确定所述触控点的坐标为所述m×n矩阵阵列中以电容值最大的采样点为中心的触控影响区域中的所有采样点的电容值加权计算得到，所述触控点的坐标为P(k)＝(P_x(k),P_y(k))其中，C_xy为触控轨迹数据帧中坐标为(x,y)的采样点的电容值，Ω为触控点的影响区域；S2：计算所述各个触控点的单点平滑度参数，其中所述步骤S2包括：S21：计算所述触控轨迹各个触控点在x、y方向上的幅度变化为D_x(k)＝|P_x(k)‑P_x(k‑1)|D_y(k)＝|P_y(k)‑P_y(k‑1)|其中，P_x(k)、P_x(k‑1)分别为第k、k‑1次扫描得到的触控点在x方向上的坐标，P_y(k)、P_y(k‑1)分别为第k、k‑1次扫描得到的触控点在y方向上的坐标；S22：计算所述电容触控轨迹各个触控点在x、y方向上的单点平滑度x参数、单点平滑度y参数分别为A_x(k)＝|D_x(k)‑D_x(k‑1)|A_y(k)＝|D_y(k)‑D_y(k‑1)|S23：计算所述电容触控轨迹各个触控点的单点平滑度参数为S(k)＝A_x(k)+A_y(k)；S3：根据所述触控点的数量，求取电容触控轨迹的平均平滑度参数，作为衡量电容触控轨迹的质量评价参数，其中所述步骤S3中，计算所述电容触控轨迹的平均平滑度参数为其中，N为扫描电容屏的次数。