[发明专利]半导体热处理设备工艺门状态检测装置及检测方法有效
| 申请号： | 201610929337.X | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106340467B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 徐冬;刘慧 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 陶金龙;陈慧弘 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体热处理设备工艺门状态的检测装置，包括上测距传感器和检测单元。所述上测距传感器至少为三个，设于所述工艺门侧面位于所述工艺门上表面下方的同一高度、沿工艺门圆周分布，用于当所述工艺门上升至与所述半导体热处理设备的反应管下端的石英管法兰接触的工艺门关闭位置时，测量所述工艺门至所述石英管法兰的距离。所述检测单元根据各所述上测距传感器的测量值检测所述工艺门的密封状态和/或水平度。本发明能够在工艺过程中快速准确地检测工艺门的密封度和/或水平度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 热处理 设备 工艺 状态 检测 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体热处理设备工艺门状态的检测装置，其特征在于，包括：设于所述工艺门侧面位于所述工艺门上表面下方、沿工艺门圆周分布的至少三个位于同一高度且向上设置的上测距传感器，用于当所述工艺门上升至与所述半导体热处理设备的反应管下端的石英管法兰接触的工艺门关闭位置时，测量所述工艺门至所述石英管法兰的距离；检测单元，根据各所述上测距传感器的测量值检测所述工艺门的密封状态和/或水平度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
