[发明专利]一种黑硅制备方法、制绒机及采用该制备方法制成的黑硅在审
申请号: | 201610929502.1 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN106449878A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 张淋;郑严严;韩方亚 | 申请(专利权)人: | 苏州宝馨科技实业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/028 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫;贾允 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种黑硅制备方法、制绒机及采用该制备方法制成的黑硅,所述方法包括如下步骤:S1、将硅片用腐蚀液进行刻蚀制绒;S2、将刻蚀后的硅片用酸性溶液进行酸性刻蚀;S3、将酸性刻蚀后的硅片用碱性溶液进行碱性刻蚀;S4、将碱性刻蚀后的硅片用酸性溶液再次进行酸性刻蚀。本发明的黑硅制备方法,其制备流程简单、稳定,制程时间很短,无需使用H2O2,可以根据晶硅电池电效应与光效应的结果需要调整不同的表面反射率;能够让晶体表面形成纳米级的微结构组织—纳米绒面;可以与现有电池工艺的微米绒面形成叠加效应。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 方法 制绒机 采用 制成 | ||
【主权项】:
一种黑硅制备方法,其特征在于:包括如下步骤:S1、将硅片用腐蚀液进行刻蚀制绒;S2、将刻蚀后的硅片用酸性溶液进行酸性刻蚀;S3、将酸性刻蚀后的硅片用碱性溶液进行碱性刻蚀;S4、将碱性刻蚀后的硅片用酸性溶液再次进行酸性刻蚀,制得黑硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的