[发明专利]屏蔽栅沟槽型功率MOS器件的工艺方法在审
| 申请号： | 201610929659.4 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106298949A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周颖;丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型功率MOS器件的工艺方法，包含步骤：第1步，在硅衬底上进行沟槽刻蚀，然后形成牺牲氧化层；第2步，淀积衬垫氧化层，淀积多晶硅并回刻，形成沟槽内的底层多晶硅；第3步，形成多晶硅层间介质氧化膜；第4步，在整个硅片表面生长一层热氧化层；第5步，回刻热氧化层；第6步，形成栅氧化层；第7步，淀积多晶硅及回刻，在沟槽内形成上层多晶硅。本发明通过在多晶硅层间介质氧化膜工艺之后，先进行一次热氧化层工艺，使底层多晶硅的上表面边角处圆化，相当于增加了硅衬底材质的露出面积，在后续栅氧化层的生成过程中，栅氧化层生长更好，膜厚均匀性更佳，降低了易击穿点的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 功率 mos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种屏蔽栅沟槽型功率MOS器件的工艺方法，其特征在于，包含如下的工艺步骤：第1步，在硅衬底上进行沟槽刻蚀，然后形成牺牲氧化层；第2步，淀积衬垫氧化层，淀积多晶硅并回刻，形成沟槽内的底层多晶硅；第3步，进行多晶硅层间介质氧化膜的生长；第4步，在整个硅片表面生长一层热氧化层；第5步，回刻热氧化层；第6步，形成栅氧化层；第7步，淀积多晶硅及回刻，在沟槽内形成上层多晶硅。
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