[发明专利]基于p‑n异型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法在审
| 申请号： | 201610930445.9 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106546635A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张超;郑兵兵;耿欣;罗一凡 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 南京中新达专利代理有限公司32226 | 代理人： | 孙鸥,朱杰 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于p‑n异型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法。本发明将单晶硅片Si作为绝缘基体，在绝缘基体正面制备叉指型电极和接线端，分别称取硝酸锌和硝酸铜的混合粉末溶于去离子水或有机溶剂中，搅拌得到均匀溶液作为前驱体，通过非雾化喷嘴送入到由等离子喷枪产生的焰流，经过蒸发、分解、成核、加热和加速，以熔融粒子撞击在叉指型电极正上方制备得到半导体气敏涂层。本发明克服了过去润滑涂层中存在的因晶粒长大而导致的涂层性能下降和失效等缺陷。本发明快速制备纳米、多孔结构p‑n异型异质结半导体气敏层，重复性好，可以实现多种p‑n型半导体材料复合，对低浓度NO2的响应具有灵敏度高、响应速度较快等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 异型 异质结 半导体 二氧化氮 气敏层 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于p‑n异型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：(1)将单晶硅片Si作为绝缘基体；(2)通过丝网印刷、溅射、蒸镀或喷涂方法在绝缘基体正面制备叉指型电极和接线端；(3)分别称取硝酸锌和硝酸铜的混合粉末溶于去离子水或有机溶剂中，利用磁力搅拌器或其它搅拌装置得到均匀溶液作为前驱体；(4)将所制备得到的溶液前驱体通过非雾化喷嘴送入到由等离子喷枪产生的焰流；(5)前驱体溶液经过蒸发、分解、成核、加热和加速，以熔融粒子撞击在叉指型电极正上方制备得到半导体气敏涂层。
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